Р5058 Мост переменного тока

В наличии на складе, по договорной цене.

Мост переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; мост Р5058; Р-5058; Р 5058; купить Р5058; Р-5058; Р 5058; купить дешевле Р5058; Р-5058; Р 5058; цена моста переменного тока Р5058; Р-5058; Р 5058; описание Р5058; Р-5058; Р 5058; технические характеристики Р5058; Р-5058; Р 5058; назначение Р5058; Р-5058; Р 5058

НАЗНАЧЕНИЕ МОСТА Р5058

Мост переменного тока Р5058 предназначен для измерения емкости и тангенса угла потерь конденсаторов и других объектов измерения, а также для измерения проводимости и остаточной емкости высокоомных резисторов.

Прибор мост переменного тока Р5058 имеет вывод результатов измерений в параллельном двоично-десятичном коде 8-4-2-1 с уровнями сигналов, соответствующими:
- -12В±2,4В - для логической «1»;
- 0В±2,4В - для логического «0»;

Мост имеет три вида запуска:
- ручной;
- автоматический с регулируемым циклом в диапазоне 0,5с-10с;
- внешний, управляемый серией импульсов амплитудой 2,5В-6В;

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Р5058

Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора приведены в таблице 1;

Таблица 1 Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемых погрешностей измерений прибора мост переменного тока Р5058

Измеряемый параметр	Частота	Поддиапазон измерений	Макс. значение измеряемого параметра	Предел допускаемой основной погрешности прибора мост переменного тока Р5058
Измеряемый параметр	Частота	Поддиапазон измерений	Макс. значение измеряемого параметра	δо	Δ
С, tgδ	0,05кГц	10,00нФ-99,99нФ	0,5кГц	1%	0,05tgδ+ 5∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ
		1,000мкФ-9,999мкФ
		10,00мкФ-99,99мкФ			-
		100,0мкФ-999,9мкФ		2%	-
	1кГц	0,02пФ-99,99пФ	1кГц	0,5+0,004х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ		0,5%	-
		1,000нФ-9,999нФ		0,5%	0,02tgδ+ 2∙10^-3
		10,00нФ-99,99нФ		0,2%	0,01tgδ+ 1∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ		0,2%	0,005tgδ+ 5∙10^-4
		1,000мкФ-9,999мкФ		0,5%	0,01tgδ+ 1∙10^-3
		10,00мкФ-99,99мкФ		1%	0,02tgδ+ 5∙10^-3
	10кГц	0,02пФ-99,99пФ	0,5кГц	1+0,002х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ		1%	0,02tgδ+ 2∙10^-3
		1,000нФ-9,999нФ		0,5%	0,01tgδ+ 2∙10^-3
		10,00нФ-99,99нФ		0,5%	0,01tgδ+ 2∙10^-3
		100,0нФ-999,9нФ		1%	0,02tgδ+ 5∙10^-3
С, Gо	0,5 (при tgδ≤0,5)	10,00нФ-99,99нФ	31,4мкСм	2	0,02Gо+ 0,5мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	0,314мСм		0,2Gо+ 0,005мСм
		1,000мкФ-9,999мкФ	3,14мСм		0,2Gо+ 0,5мСм
		10,00мкФ-99,99мкФ	6,2мСм		-
	1 (при tgδ≤1)	0,02пФ-99,99пФ	628нСм	0,5+0,004х (1000/С-1)%	-
		100,0пФ-999,9пФ	6,28мкСм	0,5%	0,05Gо+ 0,005мкСм
		1,000нФ-9,999нФ	62,8мкСм	0,2%	0,02Gо+ 0,05мкСм
		10,00нФ-99,99нФ	628мкСм	0,2%	0,01Gо+ 0,2мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	6,28мСм	0,5%	0,02Gо+ 0,005мСм
		1,000мкФ-9,999мкФ	62,8мСм	1%	-
	10 (при tgδ≤0,1)	100,0пФ-999,9пФ	6,28мкСм	2%	0,02Gо+ 0,1мкСм
		1,000нФ-9,999нФ	62,8мкСм		0,02Gо+ 2мкСм
		10,00нФ-99,99нФ	628мкСм		0,02Gо+ 10мкСм
		100,0нФ-999,9нФ	6,28мСм		-
L, Rо	0,5 (при tgδ≤0,5)	10,00Гн-99,99Гн	15 кОм
	0,5 (при tgδ≤0,5)	1,000Гн-9,999Гн	1,5 кОм
	1 (при tgδ≤0,5)	1,000Гн-9,999Гн	31,4 кОм	0,5%
	1 (при tgδ≤0,5)	10,00мГн-999,9мГн	3,14 кОм	0,2%	0,02Rо+ 0,005 кОм
	1 (при tgδ≤1)	10,00Гн-99,99Гн	628,0 Ом		0,02Rо+ 0,5 Ом
		1,000Гн-9,999Гн	62,80 Ом		0,05Rо+ 0,05 Ом
		100,0мкГн-999,9мкГн	6,280 Ом	0,5%	0,05Rо+ 0,20 Ом
		0,03мкГн-99,99мкГн	628,30 мОм	0,5+0,003х (1000/L-1%)	-
	10 (при tgδ≤0,1)	100,0мГн-999,9мГн	9,99 кОм	1%	0,05Rо+ 0,05 Ом
		10,00мГн-99,99мГн	999 Ом		0,05Rо+ 5 Ом
		1,000мГн-9,999мГн	99,9 Ом		0,05Rо+ 0,5 Ом
		100,0мкГн-999,9мкГн	9,99 Ом		-
R, Lо	1 (при τ≤100мкс)	1,000 МОм-9,999 МОм	-	-
		100,0 кОм-999,9 кОм	1,00Гн	1%
		10,00 кОм-99,99 кОм	1,00Гн	0,5%	0,05Lо+ 0,005Гн
		1,000 кОм-9,999 кОм	999,9мГн	0,2%	0,02Lо+ 0,5мГн
		100,0 Ом-999,9 Ом	99,99мГн	0,2%	0,05Lо+ 0,05мГн
		10,00 Ом-99,99 Ом	9,999мГн	0,2+0,05х (100/R-1)%	-
		1,000 Ом-9,999 Ом	999,9мкГн	0,5+0,2х (10/R-1)%
		10,0 Ом-999,9 Ом	99,99мкГн	0,5+0,2х (10/R-1)%
	10 (при τ≤5мкс)	10,00 кОм-99,99 кОм	0,10Гн	2%
		1,000 кОм-9,999 кОм	99,9мГн	2%	0,05Lо+ 0,5мГн
		100,0 Ом-999,9 Ом	9,99мГн	1%	0,05Lо+ 0,05мГн
R, τ_L	1	10,00 кОм-99,99 кОм	9,99мкс	1%	-
		1,000 кОм-9,999 кОм		0,5%	-
		100,0 Ом-999,9 Ом		0,2%	0,02τ_L+ 0,5мкс
		10,00 Ом-99,99 Ом		0,2+0,1х (100/R-1)%	-
R, τ_с	1	1,000 МОм-9,999 МОм	99,99мкс	1%	-
		100,0 кОм-999,9 кОм		0,5%	0,02τ_с+ 0,5мкс
		10,00 кОм-99,99 кОм		0,2%	0,01τ_с+ 0,1мкс
		1,000 кОм-9,999 кОм		0,2%	0,01τ_с+ 0,1мкс
		100,0 Ом-999,9 Ом		0,5%	0,01τ_с+ 0,2мкс
		10,00 Ом-99,99 Ом		0,5%	0,02τ_с+ 0,5мкс
	10	10,00 кОм-99,99 кОм	1,99мкс	2%	-
		1,000 кОм-9,999 кОм		1%	0,02τ_с+ 0,5мкс
		100,0 Ом-999,9 Ом			-
G, Со	0,05 (при tgδ≤0,5)	100,0мкСм-999,9мкСм	99,99нФ
		1,000мСм-9,999мСм	999,9нФ
		10,00мСм-99,99мСм	9,999мкФ
	1 (при tgδ≤1)	1,000мкСм-9,999мкСм	999,9пФ		0,02Со+ 0,2пФ
		10,00мкСм-99,99мкСм	9,999нФ	0,5%	0,01Со+ 0,02нФ
		100,0мкСм-999,9мкСм	99,99нФ	0,2%	0,01Со+ 0,02нФ
		1,000мСм-9,999мСм	999,9нФ	0,5%	0,01Со+ 0,2нФ
		100,0мСм-999,9мСм	99,99мкФ	2%	-
	10 (при tgδ≤0,1)	100,0мкСм-999,9мкСм	9,99нФ	2%
		1,000мСм-9,999мСм	99,9нФ	1%
		10,00мСм-99,99мСм	0,999мкФ	1%
П	1	±(0,05÷30)	1	1	(0,02П+ 0,05)%

Время измерения на частотах 10кГц, 1кГц и 50Гц не превышает соответственно 0,1с, 0,2с и 5с;

Выбор поддиапазона измерений прибора мост переменного тока Р5058 - автоматический;

Выбор режима работы и рабочей частоты - ручной и дистанционный;

Изменение предела допускаемых основных погрешностей прибора мост переменного тока Р5058 не превышает половины значений, указанных в таблице 1 при:

- изменении температуры окружающего воздуха относительно номинального значения 20ºС±5ºС в диапазоне от 10ºС до 35ºС на каждые 10К изменения температуры;

- изменении напряжения питания от +10% до -15% номинального значения 220В±2%;

- наличии внешнего магнитного поля частоты 50Гц±1Гц напряженностью до 80А/м;

Время установления рабочего режима прибора мост переменного тока Р5058 - не более 1 минуты с момента его включения;

Время непрерывной работы - до 8 часов.